日期重要纪事
2022年06月      泰国子公司完成现金增资泰铢2亿元
2022年06月      全面改选董监事，并由杨瑞阳先生担任本公司第十六届董事长。
2021年10月      泰国子公司完成现金增资泰铢2亿元。
2020年11月      通过美商邓白氏企业认证。
2020年09月      当选第十六届中华民国年度十大企业金炬奖。
2020年01月      总公司通过经济部覈准境外资金汇回投资产业计画案。
2018年06月      成立审计委员会。
2018年06月      全面改选董监事，并由杨瑞阳先生担任本公司第十五届董事长。
2017年06月      透过深圳厂转投资设立大陆东莞厂，主要从事H.ELE石英晶振元件制造。
2016年06月      全面改选董监事，并由杨瑞阳先生担任本公司第十四届董事长。
2013年06月      全面改选董监事，并由杨瑞阳先生担任本公司第十三届董事长。
2010年09月      办理现金增资(新台币贰亿伍仟万元整)，累计实收资本额变更为拾亿七仟肆拾壹万贰仟壹佰伍拾元整。
2007年10月      BPM企业流程管理系统上线。
2007年01月      深圳子公司通过ISO/TS16949汽车业品质管理系统认证。
2006年12月      总公司通过ISO/TS16949汽车业品质管理系统认证。
2006年05月      本公司于95年5月25日股票正式挂牌交易，成为上柜公司(股票代码:8182)。
2006年01月      行政院金管会证期局核备OTC函报之本公司上柜申请案。
2005年12月      本公司上柜申请案业经OTC董事会审议通过。
2005年08月      总公司通过OHSAS18001职业安全卫生管理系统认证。
2005年07月      向柜买中心申请柜台买卖交易。
2005年03月      深圳子公司通过ISO14001认证。
2005年01月      导入Hyperion工具建置BI系统。
2004年09月      正式合併台湾大真空股份有限公司。
2004年08月      于柜檯买卖中心挂牌兴柜，公司代号:8182。
2004年06月      泰国子公司通过ISO/TS16949汽车业品质管理系统认证。
2004年05月      泰国子公司通过ISO9001品质系统认证及ISO14001认证。
2002年11月      深圳子公司通过ISO9001品质系统认证。
2001年04月      总公司通过ISO14001认证。
2000年12月      泰国子公司通过QS9000认证。
2000年11月      总公司通过ISO9001品质系统认证。
2000年10月      正式导入TIPTOPERP系统。
2000年09月      设立大陆深圳厂–加高电子(深圳)有限公司。
2000年08月      总公司通过QS9000认证。
1998年10月      办理股票公开发行。
1996年04月      泰国子公司通过ISO9002品质系统认证。
1995年03月      通过IS09002品质系统认证。
1990年03月      投资设立加高电子(泰国)有限公司。
1976年11月      与日商株式会社大真空合资创立，资本额新台币肆佰柒拾伍万元整。晶振厂家

原厂编码	生产商	型号	频率	频率稳定度	频率容差	负载电容	工作温度
X2B026000M81H-HS	加高晶振	HSX221SA	26 MHz	±15ppm	±7ppm	8pF	-
X2B016000BA1H-U	加高晶振	HSX221SA	16 MHz	±10ppm	±10ppm	10pF	-30°C ~ 85°C
X2B012000BC1H-U	加高晶振	HSX221SA	12 MHz	±20ppm	±10ppm	12pF	-40°C ~ 105°C
X2B040000BC1H-DHZ	加高晶振	HSX221SA	40 MHz	±10ppm	±10ppm	12pF	-30°C ~ 85°C
X1C032000B81H-HR	加高晶振	HSX111S	32 MHz	±10ppm	±10ppm	8pF	-
X1C024000B81H-HV	加高晶振	HSX111S	24 MHz	±30ppm	±10ppm	8pF	-
X2R026000BZ1HAZ-DHPZ	加高晶振	HSX221SR	26 MHz	-	±10ppm	7pF	-30°C ~ 105°C
X1R038400B81HA-CEHPZ	加高晶振	HSX111SR	38.4 MHz	±10ppm	-	8pF	-
X2U026000B81HBZ-DHPZ	加高晶振	HSX211SR	26 MHz	-	±10ppm	8pF	-40°C ~ 105°C
X2R026000B91HZ-DEHPZ	加高晶振	HSX221SR	26 MHz	±10ppm	±10ppm	9pF	-30°C ~ 85°C
X2R019200BZ1H-CHZ	加高晶振	HSX221SR	19.2 MHz	-	±10ppm	7pF	-30°C ~ 85°C
X2U019200BZ1H-CEHQZ	加高晶振	HSX211SR	19.2 MHz	-	±10ppm	7pF	-40°C ~ 105°C
X2U038400B81H-EPQZ	加高晶振	HSX211SR	38.4 MHz	-	±10ppm	8pF	-30°C ~ 85°C
X1R052000B81HZ-DEHPZ	加高晶振	HSX111SR	52 MHz	±10ppm	-	8pF	-40°C ~ 105°C
X12A040000BZ1H-HZ	加高晶振	HSX1210A	40 MHz	±10ppm	±12ppm	6pF	-20°C ~ 85°C
X12A032000B81H-HZ	加高晶振	HSX1210A	32 MHz	±10ppm	±10ppm	8pF	-30°C ~ 85°C
XSA004000DK1HA-OX	加高晶振	SMD-49	4 MHz	±20ppm	±50ppm	20pF	-40°C ~ 85°C
XSA008000DC1H-OX	加高晶振	SMD-49	8 MHz	±20ppm	±30ppm	12pF	-20°C ~ 70°C
X1C026000B81H-V	加高晶振	HSX111SA	26 MHz	±10ppm	±20ppm	26pF	-20°C ~ 80°C
X1C032000B81H-HU	加高晶振	HSX111SA	32 MHz	±10ppm	±10ppm	8pF	-20°C ~ 80°C
X1C048000FK1H-HX	加高晶振	HSX111SA	48 MHz	±30ppm	±30ppm	20pF	-20°C ~ 80°C
X2B050000BC1H-V	加高晶振	HSX221S	50 MHz	±10ppm	±30ppm	12pF	-40°C ~ 85°C
X2B012000B91H-U	加高晶振	HSX221SA	12 MHz	±10ppm	±10ppm	9pF	-20°C ~ 70°C
X2B012000DC1H-X	加高晶振	HSX221SA	12 MHz	±20ppm	±20ppm	12pF	-10°C ~ 60°C
X2B016000B91H-HU	加高晶振	HSX221SA	16 MHz	±10ppm	±10ppm	9pF	-20°C ~ 70°C
X2B016000BC1H-HV	加高晶振	HSX221SA	16 MHz	±10ppm	±20ppm	12pF	-20°C ~ 75°C
X2B019200BZ1H-CHZ	加高晶振	HSX221SA	19.2 MHz	±10ppm	±12ppm	7pF	-30°C ~ 85°C
X2B024000BC1HA-V	加高晶振	HSX221SA	24 MHz	±10ppm	±20ppm	12pF	-20°C ~ 75°C
X2B024000BC1H-HV	加高晶振	HSX221SA	24 MHz	±10ppm	±30ppm	12pF	-30°C ~ 85°C
X2B024000BCIH-HV	加高晶振	HSX221SA	24 MHz	±10ppm	±30ppm	12pF	-40°C ~ 85°C
X2B024000FK1H-V	加高晶振	HSX221SA	24 MHz	±30ppm	±30ppm	20pF	-20°C ~ 75°C
X2B025000BI1H-U	加高晶振	HSX221SA	25 MHz	±10ppm	±20ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
X2B026000B71HZ-HPR	加高晶振	HSX221SA	26 MHz	±10ppm	±10ppm	7.2pF	-20°C ~ 75°C
X2B026000B81H-CHZ	加高晶振	HSX221SA	26 MHz	±10ppm	±11ppm	8pF	-30°C ~ 85°C
X2B026000B91H-HR	加高晶振	HSX221SA	26 MHz	±10ppm	±10ppm	9pF	-20°C ~ 75°C
X2B026000B91H-HV	加高晶振	HSX221SA	26 MHz	±10ppm	±15ppm	9pF	-20°C ~ 75°C
X2B026000B91H-HZ	加高晶振	HSX221SA	26 MHz	±10ppm	±10ppm	9pF	-30°C ~ 85°C
X2B026000B91H-U	加高晶振	HSX221SA	26 MHz	±10ppm	±20ppm	9pF	-40°C ~ 85°C
X2B026000L91H-S	加高晶振	HSX221SA	26 MHz	±8ppm	±12ppm	9pF	-20°C ~ 75°C
X2B026000B71HZ	加高晶振	HSX221SA	26 MHz	±7ppm	±10ppm	11.5pF	-10°C ~ 60°C
X2B026000BC1H-Z	加高晶振	HSX221SA	26 MHz	±10ppm	±10ppm	12pF	-20°C ~ 85°C
X2B027000BC1H-HU	加高晶振	HSX221SA	27 MHz	±10ppm	±10ppm	12pF	-10°C ~ 70°C
X2B02863ADC1H-W	加高晶振	HSX221SA	28.6363 MHz	±20ppm	±20ppm	12pF	-20°C ~ 70°C
X2B030000BA1H-HW	加高晶振	HSX221SA	30 MHz	±10ppm	±20ppm	10pF	-20°C ~ 70°C
X2B030000BA1H-U	加高晶振	HSX221SA	30 MHz	±10ppm	±10ppm	10pF	-20°C ~ 70°C
X2B030000FA1H-X	加高晶振	HSX221SA	30 MHz	±30ppm	±30ppm	10pF	-20°C ~ 70°C
X2B032000C81H-HU	加高晶振	HSX221SA	32 MHz	±15ppm	±15ppm	8pF	-20°C ~ 75°C
X2B032000D81H-U	加高晶振	HSX221SA	32 MHz	±20ppm	±20ppm	8pF	-30°C ~ 85°C
X2B032000BC1H-HZ	加高晶振	HSX221SA	32 MHz	±10ppm	±12ppm	12pF	-30°C ~ 85°C
X2B038400BA1H-U	加高晶振	HSX221SA	38.4 MHz	±10ppm	±10ppm	10pF	-20°C ~ 70°C
X2B040000B91H-U	加高晶振	HSX221SA	40 MHz	±10ppm	±10ppm	9pF	-20°C ~ 70°C
X2B040000BC1H-DHZ	加高晶振	HSX221SA	40 MHz	±10ppm	±10ppm	12pF	-30°C ~ 85°C
X2B04000BF1H-HZ	加高晶振	HSX221SA	40 MHz	±10ppm	±10ppm	15pF	-30°C ~ 85°C
X2B040000BF1H-HT	加高晶振	HSX221SA	40 MHz	±10ppm	±18ppm	15pF	0°C ~ 85°C
X2B040000BF1H-HZ	加高晶振	HSX221SA	40 MHz	±10ppm	±10ppm	15pF	-30°C ~ 85°C
X2R026000BZ1HZ-DEHPZ	加高晶振	HSX221SR	26 MHz	±10ppm	±10ppm	7pF	-30°C ~ 85°C
X2R026000B91HZ-DEHPZ	加高晶振	HSX221SR	26 MHz	±10ppm	±10ppm	9pF	-30°C ~ 85°C
X3G012000DI1H‐HX	加高晶振	HSX321G	12 MHz	±20ppm	±50ppm	18pF	-40°C ~ 85°C
X3Z01474ADK1H-U	加高晶振	HSX321SK	14.7456 MHz	±20ppm	±20ppm	20pF	-40°C ~ 85°C
X3Z025000D81H-X	加高晶振	HSX321SK	25 MHz	±20ppm	±50ppm	8pF	-40°C ~ 85°C
X3Z02863ADK1H-U	加高晶振	HSX321SK	28.6363 MHz	±20ppm	±20ppm	20pF	-40°C ~ 85°C
X5H008000DC1H-W	加高晶振	HSX530G	8 MHz	±20ppm	±20ppm	12pF	-20°C ~ 70°C
X5H008000FC1H-X	加高晶振	HSX530G	8 MHz	±30ppm	±30ppm	12pF	-20°C ~ 70°C
X5H008000FF1H	加高晶振	HSX530G	8 MHz	±30ppm	±30ppm	15pF	-10°C ~ 60°C
X5H008000DK1H	加高晶振	HSX530G	8 MHz	±20ppm	±50ppm	20pF	-10°C ~ 60°C
X5H008000FK1H-X	加高晶振	HSX530G	8 MHz	±30ppm	±50ppm	20pF	-40°C ~ 85°C
X5H008000IK1H-H	加高晶振	HSX530G	8 MHz	±50ppm	±50ppm	20pF	-20°C ~ 70°C
X5H012288FI1H	加高晶振	HSX530G	12.288 MHz	±30ppm	±30ppm	18pF	-20°C ~ 75°C
X5H012000FC1H-X	加高晶振	HSX530G	12 MHz	±30ppm	±50ppm	12pF	-40°C ~ 85°C
X5H013560FC1H-X	加高晶振	HSX530G	13.56 MHz	±30ppm	±30ppm	12pF	-20°C ~ 70°C
X5H01431AFK1H-X	加高晶振	HSX530G	14.31818 MHz	±30ppm	±30ppm	20pF	-20°C ~ 70°C
X5H015360FK1H-X	加高晶振	HSX530G	15.36 MHz	±30ppm	±50ppm	20pF	-40°C ~ 85°C
X5H022118DK1H-W	加高晶振	HSX530G	22.1184 MHz	±20ppm	±20ppm	20pF	-20°C ~ 70°C
X5H024000DC1H-X	加高晶振	HSX530G	24 MHz	±20ppm	±30ppm	12pF	-20°C ~ 70°C
X5H025000DK1H	加高晶振	HSX530G	25 MHz	±20ppm	±30ppm	20pF	-10°C ~ 60°C
X5H025000FK1H-X	加高晶振	HSX530G	25 MHz	±30ppm	±30ppm	20pF	-10°C ~ 70°C
X1H016000FI1H-X	加高晶振	HSX531	16 MHz	±30ppm	±30ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
X1H008000DC1H-U	加高晶振	HSX531S	8 MHz	±20ppm	±20ppm	12pF	-30°C ~ 85°C
X1H008000DI1H-HW	加高晶振	HSX531S	8 MHz	±20ppm	±20ppm	18pF	-20°C ~ 70°C
X1H008000DK1H-X	加高晶振	HSX531S	8 MHz	±20ppm	±50ppm	20pF	-30°C ~ 85°C
X1H012000FK1H	加高晶振	HSX531S	12 MHz	±30ppm	±50ppm	7pF	-10°C ~ 85°C
X1H012000FK1H-X	加高晶振	HSX531S	12 MHz	±30ppm	±50ppm	20pF	-10°C ~ 85°C
X1H016000FK1H-X	加高晶振	HSX531S	16 MHz	±30ppm	±50ppm	20pF	-10°C ~ 85°C
X1H020000FK1H-X	加高晶振	HSX531S	20 MHz	±30ppm	±50ppm	20pF	-20°C ~ 85°C

正在载入评论数据...

上一篇：遥遥领先的瑞萨晶振关于RoHS重铸的声明

下一篇：关于遥遥领先的希华晶振的品牌优势介绍

此文关键字：

姓名：
邮箱：
正文：

资讯中心

金洛博客

领先全球的加高电子企业里程碑

相关资讯