适合用于无人机的温补晶振编码曝光X1G005231001600

适合用于无人机的温补晶振编码曝光X1G005231001600，在这个有着无限可能性的大千世界之中，要找到相对成熟的产品，需要非常用心，并且拥有超强的敏锐观察力，科技的创新，成了当代社会的主导，爱普生公司意识到这个机会，并牢牢抓住机会，能够快速针对高科技设计出新颖的产品，便推出了TG5032CGN晶振，编码X1G005231001600，频率25.000000兆赫，输出WaveCMOS，电源电压3.13 ~ 3.46 V，电源电压(一般)3.300 V，尺寸(LxWxH)5.0 x 3.2 x 1.4 mm，操作温度-40至++85°C，频率公差+/- 1.0 ppm，这是一款高精度，低抖动，低电压的温补晶振，很适合用于无人机，仪器设备，儿童手表，音影应用，电子产品等。

爱普生晶振	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Supply Voltage	F.Tol@25°C	Ope Temperature
X1G005231000400	TG5032CGN	20.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231000500	TG5032CGN	24.576000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231000900	TG5032CGN	25.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231001000	TG5032CGN	24.576000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231001100	TG5032CGN	25.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231001200	TG5032CGN	12.800000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231001300	TG5032CGN	20.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231001500	TG5032CGN	20.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231001600	TG5032CGN	25.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231001700	TG5032CGN	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231001900	TG5032CGN	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231002000	TG5032CGN	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231002300	TG5032CGN	25.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231002500	TG5032CGN	10.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231002600	TG5032CGN	40.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231002700	TG5032CGN	40.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231002800	TG5032CGN	20.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C
X1G005231002900	TG5032CGN	40.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.45 mm	CMOS	3.135 to 3.465 V	+/-1.0 ppm	-40 to ++85 °C

石英晶体振荡器是一种各向异性晶体。 它由以特定方位角切割的薄片制成，然后在晶片的相应表面上涂有银。 安装一对金属块作为极板，构成石英晶体振荡器。 石英晶体可用作振荡电路的原因在于其压电效应。 当在晶片外部的两个板之间添加电场时，晶体将产生机械变形; 相反，当在板之间施加机械力时，将在晶体中产生电场。 这种现象称为压电效应。