晶振振荡器中的IQD三剑客CMOS/HCMOS/ACMOS
来源:http://www.jinluodz.com 作者:金洛鑫电子 2026年01月28
晶振振荡器中的IQD三剑客CMOS/HCMOS/ACMOS
在现代电子系统中,晶振振荡器就如同"心脏起搏器"一般,为整个系统提供精准且稳定的时钟信号,是确保各电子元件协同工作/稳定运行的关键.从我们日常使用的智能手机/电脑,到复杂的通信基站/航空航天设备,晶振振荡器无处不在,其性能的优劣直接影响着电子设备的整体表现.以手机为例,晶振振荡器为智能手机晶振的CPU/射频模块等提供精确的时钟,保障数据处理与通信的顺畅;电脑中的内存/显卡等部件,也依赖晶振振荡器的时钟信号来实现高速数据传输与处理.
CMOS的基本特性
CMOS,即互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor),其核心工作原理依托PMOS(P型场效应管)与NMOS(N型场效应管)的对称互补结构,二者如同协同工作的"开关组",通过交替导通与截止实现信号的精准处理与传输.在静态工作状态下,PMOS管与NMOS管不会同时处于导通状态,仅存在微弱的漏电流(通常在纳安级),这一结构特性从根源上决定了其低功耗的核心优势.在电平特性方面,CMOS逻辑电平呈现出明显的"宽幅适配"特点:高电平输出值接近供电电压VDD(如5V系统中高电平约4.5V-5V,3.3V系统中约2.4V-3.3V),低电平则接近地电位0V(通常低于0.5V),这种宽幅电平差带来了出色的噪声容限(一般可达电源电压的40%).相较于其他逻辑电平技术,CMOS能有效抵御电磁干扰/电压波动等外界干扰,即便在工业控制/车载电子等复杂电磁环境中,也能保障信号传输的准确性,避免因干扰导致的逻辑误判.此外,CMOS技术还具备良好的电压适配性,可兼容1.8V/3.3V/5V等多种供电规格,适配从低功耗微控制器到通用数字电路的各类场景.其工艺成熟度极高,芯片集成度可做到大幅提升,在缩小封装尺寸的同时,进一步降低单位功耗,这一特性使其成为便携式电子设备的核心适配技术,也是IQD晶振中CMOS输出晶振系列产品兼具稳定性与经济性的关键原因.


在振荡器中的典型应用场景
凭借低功耗/高抗噪/宽电压适配的核心优势,CMOS晶振在消费电子/工业控制/物联网终端等多领域实现广泛应用,尤其适配对续航和稳定性有双重需求的场景.在微处理器领域,从入门级单片机到中高端桌面CPU,CMOS晶振均承担着"时序基准"的核心角色——以英特尔酷睿系列处理器为例,其配套的IQDCMOS晶振通常选用14.318MHz标准频率,通过倍频电路拓展至GHz级工作频率,为处理器的指令解码/数据运算/多核心协同等操作提供精准时序支撑,确保多任务处理/图形渲染/视频剪辑等复杂操作的流畅性,同时低功耗特性也助力桌面设备降低待机能耗.在数字信号处理器(DSP)领域,CMOS晶振的高稳定性的优势得以充分发挥.在音频解码芯片(如常见的DAC芯片)中,IQDCMOS晶振提供的精准时钟信号直接决定音频采样精度与信噪比,可实现对无损音频信号的高效解析与还原,避免因时钟抖动导致的音质失真,为高端耳机/音响设备提供高品质听觉体验;在视频处理场景中,CMOS晶振为DSP芯片提供稳定时序,保障视频帧的同步解码与渲染,适配智能电视/监控摄像头等设备的高清电视晶振图像处理需求.在通信设备领域,CMOS晶振同样是基础核心部件.在手机射频模块中,其为信号调制解调电路提供稳定时钟,确保射频信号的频率精度,避免通话杂音/网络卡顿等问题;在低功耗物联网基站/无线网关等设备中,CMOS晶振的低功耗特性可显著延长设备续航(部分电池供电设备可实现数年待机),同时高抗噪能力保障了无线信号在复杂环境中的稳定收发,适配智能家居/无线传感网络等物联网应用场景.此外,在医疗设备(如血糖仪/血压计)中,CMOS晶振的稳定性还能保障检测数据的精准度,为医疗诊断提供可靠支撑.
CMOS,即互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor),其工作原理基于场效应管的特性.通过PMOS管和NMOS管的互补组合,CMOS电路实现了对信号的处理与传输.在电平特性方面,CMOS逻辑电平的高电平接近电源电压(如常见的5V或3.3V系统中,高电平接近VDD),低电平接近0V,有着较宽的噪声容限,这使得它在信号传输过程中,对噪声干扰具备较强的抵抗能力.同时,CMOS的一大显著优势在于其低功耗特性.在静态时,由于PMOS管和NMOS管不会同时导通,几乎没有电流通过,只有极小的漏电流,因此功耗极低,这对于电池供电的便携式设备来说,大大延长了设备的续航时间,像智能手机/平板电脑等,CMOS技术的应用使其在长时间使用过程中,无需频繁充电.此外,CMOS还具有高抗噪能力,能够在复杂的电磁环境中稳定工作,保障信号的准确性.
在振荡器中的典型应用场景
CMOS晶振在众多电子设备中有着广泛的应用.在微处理器领域,如电脑显示屏晶振的CPU,CMOS晶振提供的稳定时钟信号,确保了处理器能够按照精确的时序执行各种指令,实现高速数据处理.以英特尔酷睿系列处理器为例,搭配的CMOS晶振为其稳定运行提供了不可或缺的时钟基准,保障了多任务处理/图形渲染等复杂操作的流畅进行.在数字信号处理器(DSP)中,CMOS晶振同样发挥着关键作用,助力音频/视频信号的高效处理,如常见的音频解码芯片,依靠CMOS晶振的精准时钟,实现对音频信号的快速解析与还原,为用户带来高品质的听觉体验.在通讯设备方面,无论是手机的射频模块,还是基站的信号收发单元,CMOS晶振确保了信号的稳定调制/解调与传输,保障了通信的顺畅.
实际案例分析
以某款基于8051内核的单片机系统为例,该系统被广泛应用于工业控制领域,如温度控制系统中.系统中的CMOS晶振频率为11.0592MHz,为单片机提供了稳定的时钟信号.在温度采集与控制过程中,单片机需要精确的时钟来定时读取温度传感器的数据,并根据预设的温度值进行控制算法的运算,进而控制加热或制冷设备.CMOS晶振产生的稳定时钟,确保了单片机能够准确地执行这些操作,使得温度控制精度达到±0.5℃,有效保障了工业生产过程中对温度的严格要求,避免因温度波动过大而影响产品质量.
HCMOS的独特优势
HCMOS,即高速互补金属氧化物半导体(High-SpeedComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor),是在CMOS技术基础上发展而来的.与CMOS相比,HCMOS最显著的优势在于其更快的开关速度,能够在更短的时间内完成信号的切换,满足高速电路对时序的严格要求.在5V电源电压下,HCMOS的信号传输速度比普通CMOS快数倍,可达到纳秒级别的信号转换时间.在逻辑电平方面,HCMOS通常工作在3.3V压电控制晶振或5V电源电压下,其逻辑电平与CMOS类似,高电平接近电源电压,低电平接近0V,这使得它在与其他CMOS器件连接时,具有良好的兼容性.虽然HCMOS的功耗相较于CMOS略高,但仍然保持在较低水平,在动态切换时,HCMOS的功耗主要来源于电容的充放电,不过通过优化电路设计,其功耗能够得到有效控制,满足大多数设备的节能需求.
高速领域的应用
在高速信号处理领域,HCMOS晶振发挥着不可替代的作用.在高速模数转换器(ADC)中,HCMOS晶振为其提供的高频时钟信号,确保了对模拟信号的快速采样与数字化转换.以某款16位高速ADC芯片为例,搭配的HCMOS晶振频率高达100MHz,使得该ADC能够以每秒数百万次的采样速率对模拟信号进行精确采集,广泛应用于通信基站中的信号监测与处理,实现对高频无线信号的快速分析与处理.在高速数字电路中,如高速数据总线/高速接口电路等,HCMOS晶振同样是关键部件.在USB3.0接口电路中,HCMOS晶振产生的高速时钟信号,保障了数据能够以高达5Gbps的速率进行传输,大大提升了设备间的数据传输效率,满足了现代数据存储与传输对高速率的需求.
应用案例展示
以某高速数据采集卡为例,该采集卡用于工业自动化生产线中的设备状态监测,需要对多个传感器的数据进行高速采集与传输.卡中的核心处理器采用了HCMOS晶振,其频率为50MHz.在实际运行中,HCMOS晶振为处理器提供了稳定且高速的时钟信号,使得采集卡能够以每秒数百万次的速度对传感器数据进行采集/处理与传输,实现了对生产线设备的实时监测与控制.通过HCMOS晶振的应用,该数据采集卡的响应速度比采用普通CMOS晶振时提升了数倍,有效提高了工业生产的效率与可靠性,减少了设备故障带来的损失.
ACMOS的特性剖析
ACMOS,即先进互补金属氧化物半导体(AdvancedComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor),它融合了HCMOS与TTL的兼容性优势,在不同逻辑电平系统间搭建起了"沟通桥梁".无论是与3.3V的HCMOS器件连接,还是与5V的TTL器件配合,ACMOS都能实现无缝对接,保障信号的稳定传输,这使得它在混合逻辑电平的电路系统中应用广泛.在速度方面,ACMOS的信号转换时间极快,最大上升和下降时间仅为3ns,能够满足高速数据处理与传输的需求.与HCMOS相比,ACMOS在保持高速性能的同时,进一步优化了功耗管理,在动态切换过程中,其功耗控制在合理范围内,实现了高效与节能的平衡,在复杂的数字系统中,ACMOS的这种特性使其能够稳定运行,减少因功耗过高导致的系统过热等问题.
特殊应用场景
在一些对兼容性和速度都有严格要求的复杂电路系统中,ACMOS晶振展现出了独特的应用优势.在卫星通信晶振基站的数字信号处理单元中,需要同时处理来自不同模块的多种信号,这些信号可能来自3.3V的HCMOS接口,也可能来自5V的TTL接口,ACMOS晶振的HCMOS/TTL兼容性,使得它能够为不同接口的信号处理电路提供统一且稳定的时钟信号,确保各模块协同工作.同时,基站对数据处理速度要求极高,ACMOS晶振的快速转换时间,保障了数字信号处理器能够以高速率处理大量数据,实现对通信信号的快速调制/解调与转发,满足了现代通信网络对大容量/高速率数据传输的需求.在工业自动化控制系统中,ACMOS晶振同样发挥着重要作用,它为连接不同设备的复杂总线系统提供稳定时钟,确保设备间数据传输的准确性与高效性.
实例解析
以某自动测试设备(ATE)为例,该设备用于对多种电子元器件进行性能测试,需要与不同类型的被测器件进行通信,这些器件可能采用不同的逻辑电平标准.设备中的ACMOS晶振,凭借其HCMOS/TTL兼容性,能够与各种被测器件的接口电路良好适配,为测试过程提供稳定的时钟信号.在对一款采用5VTTL电平的微控制器进行测试时,ACMOS晶振为测试设备的信号采集与分析电路提供时钟,使得设备能够准确读取微控制器的各项参数;而在测试采用3.3VHCMOS电平的射频芯片时,ACMOS晶振同样能够保障测试设备与芯片之间的通信顺畅,实现对射频性能的精确测试.通过ACMOS晶振的应用,该自动测试设备能够适应多种被测器件的测试需求,大大提高了测试效率与准确性,降低了测试成本.
性能对比
在频率稳定性方面,CMOS晶振凭借其成熟的工艺和稳定的电路结构,在一般工作环境下能保持相对稳定的频率输出,满足大多数常规电子设备的需求.例如在智能家居设备中,其频率稳定性足以保障设备间的通信与控制的准确性.HCMOS晶振由于其高速特性,在高频工作时,频率稳定性依然出色,尤其在对时钟精度要求较高的高速数字电路中,如高速数据采集系统,能够为系统提供精准的高频时钟信号,确保数据采集与处理的准确性.ACMOS晶振在速度优化的同时,兼顾了稳定性,在复杂的混合逻辑电平系统中,能稳定地提供时钟信号,保障各模块间的协同工作,其频率稳定性在不同电平转换的情况下也能保持在较高水平.
上升/下降时间上,CMOS晶振相对较慢,其上升和下降时间通常在几十纳秒级别,这使得它在一些对信号切换速度要求不高的低速电路中应用广泛,如简单的单片机控制电路,较慢的信号切换速度不会影响系统的正常运行.HCMOS晶振的上升/下降时间明显缩短,可达到纳秒级别,能满足高速电路对信号快速切换的需求,在高速通信接口电路中,快速的信号切换确保了数据的高速传输.ACMOS晶振的上升/下降时间极快,最大仅为3ns,在对速度要求极高的复杂数字系统中,如高性能计算芯片的时钟电路,其快速的信号转换能力保障了芯片的高速运算.抗干扰能力方面,CMOS晶振具有较宽的噪声容限,对一般性的电磁干扰有一定的抵抗能力,能在常规的电磁环境中稳定工作,如日常办公环境中的电子设备.HCMOS晶振在保持高速性能的同时,也具备良好的抗干扰能力,通过优化电路设计和采用先进的制造工艺,有效减少了外界干扰对信号的影响,在通信基站等电磁环境复杂的设备中,能稳定地提供时钟信号.ACMOS晶振由于其兼容性设计,在不同逻辑电平混合的电路中,通过特殊的抗干扰措施,保障了信号的稳定传输,其抗干扰能力在复杂的工业自动化控制系统中得到了充分体现,确保了系统在恶劣电磁环境下的可靠运行.


成本考量
从成本角度来看,CMOS晶振由于其技术成熟/应用广泛,生产工艺已经非常完善,因此成本相对较低.在大规模生产的情况下,CMOS晶振的价格优势更为明显,这使得它在对成本敏感的消费电子市场中占据了重要地位,如大量生产的智能手表/智能手环等产品,CMOS晶振既能满足其基本性能需求,又能有效控制成本,提高产品的市场竞争力.HCMOS晶振由于其高速特性和更高的性能要求,在生产过程中需要采用更先进的工艺和材料,成本相对CMOS晶振会高一些.然而,在一些对性能要求较高的应用领域,如高速数据传输设备/高性能计算机设备晶振等,HCMOS晶振带来的性能提升远远超过了成本的增加,其性价比依然较高.这些高端设备对时钟信号的速度和稳定性要求严格,HCMOS晶振能够满足其需求,从而保障设备的高性能运行,为用户带来更好的使用体验.ACMOS晶振由于其兼容性和高性能的特点,在设计与制造过程中需要兼顾多种逻辑电平的需求,技术难度较大,成本相对较高.不过,在特定的应用场景中,如复杂的通信基站/工业自动化控制系统等,ACMOS晶振的兼容性和高性能能够有效减少系统设计的复杂性,降低整体系统成本.通过减少额外的电平转换电路和提高系统的可靠性,ACMOS晶振在这些领域展现出了独特的性价比优势.
适用场景总结
在选择晶振类型时,需要根据具体应用场景的需求来进行判断.对于对功耗要求极高/成本敏感且对速度要求不高的应用,如电池供电的便携式设备,如智能手表/无线耳机等,CMOS晶振是理想的选择.其低功耗特性能够延长设备的续航时间,低成本则有助于降低产品成本,提高市场竞争力.当应用场景对速度有较高要求,如高速数据采集/高速通信接口等领域,HCMOS晶振凭借其快速的开关速度和良好的频率稳定性,能够满足这些高速电路的需求,保障数据的快速准确传输.在高速数据采集卡中,HCMOS晶振为采集芯片提供高速时钟,确保了对模拟信号的快速采样与数字化处理.而对于需要在不同逻辑电平系统间实现无缝连接,且对速度和稳定性都有严格要求的复杂电路系统,如通信基站/工业自动化控制系统等,ACMOS晶振的HCMOS/TTL兼容性以及快速的信号转换能力,使其成为不二之选.在通信基站中,ACMOS晶振为不同接口的信号处理电路提供统一稳定的时钟信号,确保了基站各模块的协同工作和高效运行.
晶振振荡器中的IQD三剑客CMOS/HCMOS/ACMOS
| LFSPXO022731REEL | IQD 进口晶振 | CFPS-73 | XO (Standard) | 100 MHz | HCMOS | 3.3V |
| LFSPXO020462BULK | IQD 进口晶振 | CFPS-72 | XO (Standard) | 64 MHz | HCMOS, TTL | 5V |
| LFSPXO009585BULK | IQD 进口晶振 | CFPS-69 | XO (Standard) | 12 MHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO009586BULK | IQD 进口晶振 | CFPS-69 | XO (Standard) | 14.7456 MHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO009590BULK | IQD 进口晶振 | CFPS-69 | XO (Standard) | 32 MHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO083822REEL | IQD 振荡器 | IQXO-951 3225 | XO (Standard) | 50 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V |
| LFSPXO083813REEL | IQD Crystal | IQXO-951 3225 | XO (Standard) | 12 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V |
| LFSPXO083818REEL | IQD Crystal | IQXO-951 3225 | XO (Standard) | 24 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V |
| LFSPXO083826REEL | IQD Crystal | IQXO-951 2520 | XO (Standard) | 25 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V |
| LFSPXO083824REEL | IQD晶振 | IQXO-951 2520 | XO (Standard) | 16 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V |
| LFSPXO083832REEL | IQD晶振 | IQXO-951 2016 | XO (Standard) | 25 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V |
| LFSPXO076588REEL | IQD晶振 | CFPS-39 | XO (Standard) | 18.432 MHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO082283RL3K | IQD晶振 | CFPS-102 | XO (Standard) | 32.768 kHz | CMOS | 1.8V |
| LFSPXO076025REEL | IQD晶振 | IQXO-691 3225-12 | XO (Standard) | 26 MHz | CMOS | 1.2V |
| LFSPXO009618BULK | IQD晶振 | CFPS-32 | XO (Standard) | 125 MHz | CMOS | 2.5V |
| LFSPXO009589BULK | IQD晶振 | CFPS-69 | XO (Standard) | 25 MHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO083815REEL | IQD晶振 | IQXO-951 3225 | XO (Standard) | 16 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V |
| LFSPXO083828REEL | IQD Crystal | IQXO-951 2520 | XO (Standard) | 50 MHz | CMOS | 1.62V ~ 3.63V |
| LFSPXO071232REEL | IQD Crystal | CFPS-39 AUTO | XO (Standard) | 24 MHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO071234REEL | IQD Crystal | CFPS-39 AUTO | XO (Standard) | 25 MHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO025492REEL | IQD Crystal | CFPS-39 | XO (Standard) | 12 MHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO025493REEL | IQD Crystal | CFPS-39 | XO (Standard) | 14.31818 MHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO026368REEL | IQD Crystal | CFPS-39 | XO (Standard) | 27 MHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO056299REEL | IQD Crystal | IQXO-791 | XO (Standard) | 40 MHz | HCMOS | 3.3V |
| LFSPXO066657REEL | IQD Crystal | IQXO-791 | XO (Standard) | 16 MHz | HCMOS | 3.3V |
| LFSPXO056296REEL | IQD Crystal | IQXO-791 | XO (Standard) | 25 MHz | HCMOS | 3.3V |
| LFSPXO056300REEL | IQD Crystal | IQXO-791 | XO (Standard) | 48 MHz | HCMOS | 3.3V |
| LFSPXO056289REEL | IQD Crystal | IQXO-791 | XO (Standard) | 12 MHz | HCMOS | 3.3V |
| LFSPXO056294REEL | IQD Crystal | IQXO-791 | XO (Standard) | 24 MHz | HCMOS | 3.3V |
| LFSPXO082286RL3K | IQD Crystal | CFPS-104 | XO (Standard) | 32.768 kHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO072387REEL | IQD Crystal | CFPS-56 AUTO | XO (Standard) | 16 MHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO071920REEL | IQD Crystal | CFPS-39 | XO (Standard) | 8 MHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO082294RL3K | IQD Crystal | CFPS-107 | XO (Standard) | 32.768 kHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO018043REEL | IQD Crystal | CFPS-73 | XO (Standard) | 48 MHz | HCMOS | 3.3V |
| LFSPXO019170REEL | IQD Crystal | CFPS-73 | XO (Standard) | 25 MHz | HCMOS | 3.3V |
| LFSPXO018379REEL | IQD Crystal | CFPS-73 | XO (Standard) | 4 MHz | HCMOS | 3.3V |
| LFSPXO021890REEL | IQD Crystal | CFPS-73 | XO (Standard) | 8 MHz | HCMOS | 3.3V |
| LFSPXO018036REEL | IQD Crystal | CFPS-73 | XO (Standard) | 10 MHz | HCMOS | 3.3V |
| LFSPXO018534REEL | IQD Crystal | CFPS-73 | XO (Standard) | 6 MHz | HCMOS | 3.3V |
| LFSPXO017885REEL | IQD Crystal | CFPS-73 | XO (Standard) | 40 MHz | HCMOS | 3.3V |
| LFSPXO073706REEL | IQD Crystal | IQXO-404 | XO (Standard) | 32.768 kHz | CMOS | 1.8V |
| LFSPXO073700REEL | IQD Crystal | IQXO-402 | XO (Standard) | 32.768 kHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO073701REEL | IQD Crystal | IQXO-402 | XO (Standard) | 32.768 kHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO056215REEL | IQD Crystal | IQXO-542 | XO (Standard) | 20 MHz | CMOS | 1.8V |
| LFSPXO018034REEL | IQD Crystal | CFPS-72 | XO (Standard) | 16 MHz | HCMOS, TTL | 5V |
| LFSPXO018032REEL | IQD Crystal | CFPS-72 | XO (Standard) | 20 MHz | HCMOS, TTL | 5V |
| LFSPXO020502REEL | IQD Crystal | CFPS-72 | XO (Standard) | 4 MHz | HCMOS, TTL | 5V |
| LFSPXO025876REEL | IQD Crystal | CFPS-72 | XO (Standard) | 13.56 MHz | HCMOS, TTL | 5V |
| LFSPXO020060REEL | IQD Crystal | CFPS-72 | XO (Standard) | 24 MHz | HCMOS, TTL | 5V |
| LFSPXO052977REEL | IQD Crystal | CFPS-102 | XO (Standard) | 32.768 kHz | CMOS | 1.8V |
| LFSPXO020795REEL | IQD Crystal | CFPS-72 | XO (Standard) | 32 MHz | HCMOS, TTL | 5V |
| LFSPXO018545REEL | IQD Crystal | CFPS-73 | XO (Standard) | 60 MHz | HCMOS | 3.3V |
| LFSPXO071189REEL | IQD Crystal | IQXO-540 AUTO | XO (Standard) | 8 MHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO071190REEL | IQD Crystal | IQXO-540 AUTO | XO (Standard) | 10 MHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO071191REEL | IQD Crystal | IQXO-540 AUTO | XO (Standard) | 12 MHz | CMOS | 3.3V |
| LFSPXO076024REEL | IQD Crystal | IQXO-691 3225-12 | XO (Standard) | 25 MHz | CMOS | 1.2V |
| LFSPXO076027REEL | IQD Crystal | IQXO-691 3225-12 | XO (Standard) | 40 MHz | CMOS | 1.2V |
| LFSPXO076023REEL | IQD Crystal | IQXO-691 3225-12 | XO (Standard) | 24 MHz | CMOS | 1.2V |
| LFSPXO009441REEL | IQD Crystal | CFPS-73 | XO (Standard) | 80 MHz | HCMOS | 3.3V |
| LFSPXO009443REEL | IQD Crystal | CFPS-72 | XO (Standard) | 80 MHz | HCMOS, TTL | 5V |
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