Oscilent模拟436-50.0M-3EN-TS-TR振荡器输出性能的IBIS模型

模拟晶体振荡器IBIS模型是一种紧凑而安全的标准，用于模拟较大电路中的振荡器。希望模拟石英晶体振荡器性能的系统级设计人员可以利用Abracon提供的IBIS模型简化和加快设计过程。下面的图1显示了IBIS的一个示例摘录 型号，Abracon晶振ASDDV系列CMOS晶体振荡器。

IBIS模型概述

IBIS模型表示缓冲器后的代表电路的输入和输出，如其余部分所见系统的一部分。为了实现这一点，IBIS模型保存行为信息，如电流与电压和电压与时间的关系，但不保存任何结构信息。这种保存数据的方法石英晶体振荡器建模时的信息安全优势，因为集成电路(IC)非常少要提取的数据。这种保存数据的方法的另一个优点是它需要较少的处理能力，确定输入/输出动态，允许更快的模拟和分析。

输入/输出缓冲器信息规范

IBIS代表输入/输出缓冲器信息规范。因此，IBIS模型描述了模拟在输入和输出缓冲器之外，电路的其余部分看到的振荡器行为。这些 缓冲区将建模零件的内部元件与电路的其余部分分开，因为每个焊盘振荡器的等效电路。图2显示了一个简化的设计模型，它将内部振荡器电路与其所在的更大系统隔离开来。

Oscilent模拟436-50.0M-3EN-TS-TR振荡器输出性能的IBIS模型

该模型使用电源和接地箝位来确保电压保持在可接受的范围内， 相对于振荡器Vdd和地。这也意味着等效电路可以表示为 封装电阻、电感和电容。为每个焊盘保存行为信息，以 确定它将如何与电路的其余部分相互作用。这包括电流与电压的关系 如上拉、下拉、电源箝位和接地箝位信息，以及电压与时间数据，如 上升和下降波形。

隐私优势

IBIS模型可以共享关于石英晶体振荡器行为的信息，而很少透露关于 集成电路的设计与相比，IC组件和设计被识别的风险降低 因为IBIS模型不保存关于IC的任何结构信息。

用户可以检查振荡器产品结构模型的内部情况。IBIS模型， 然而，是行为模型，这意味着它们记录电流、电压和 稍后在模拟电路中重复的时间。这使得振荡器的性能 整合到一个更大的系统的设计中，而不透露 振荡器本身。表1是IBIS摘录，显示了Abracon石英晶振ASDDV的上升输出波形系列CMOS振荡器。

Oscilent模拟436-50.0M-3EN-TS-TR振荡器输出性能的IBIS模型

更快的模拟
IBIS模型允许比它们的结构模型对应物更快的模拟。基于经验测量，IBIS模型将行为信息保存为查找表，如表1所示。这些 查找表描述了振荡器如何对电路的其余部分作出反应，例如输入I-V关系 和输出波形(V-T)。这为软件提供了预先测量的结果，而不是要求 它用来计算复杂集成电路中元件之间的相互作用，与 结构模型，而只需要一小部分处理能力。

结论
相比之下，使用IBIS模型来表示晶体振荡器可以实现更快、更安全的仿真 到常见的结构模型对应物。这是有价值的，因为它允许制造商分享 模拟工具让他们的产品和设计师更自由地计算振荡器的影响他们的设计简单快捷。 Abracon验证IBIS模型，以确保它们符合IBIS开放论坛标准，从而确保我们产品的模拟可靠性。在前面的例子中使用的IBIS模型(Abracon贴片晶振ASDDV系列晶体振荡器)。