晶振系列
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陶瓷雾化片 wuhuapian -
陶瓷晶振 taocijingzhen -
32.768K Clock crystal -
贴片晶振 SMDcrystal -
石英晶振 Quartz Crystal -
声表面滤波器 Quartz Crystal -
声表面谐振器 resonator -
陶瓷滤波器 taocilvboqi -
KDS晶振 KDS CRYSTAL -
精工晶振 SEIKO CRYSTAL -
村田晶振 muRata CRYSTAL -
西铁城晶振 CITIZEN CRYSTAL -
爱普生晶振 EPSON CRYSTAL -
微孔雾化片 微孔雾化片 -
台湾加高晶体 H.ELE -
进口京瓷晶体 KYOCERA -
日本NDK晶体 进口NDK晶体 -
日本大河晶体 RIVER -
美国CTS晶体 CTS石英晶体 -
台湾希华晶体 台湾希华 -
台湾鸿星晶体 HOSONIC -
台湾TXC晶体 TXC CRYSTAL -
台湾泰艺晶体 TAITIEN CRYSTAL -
台湾亚陶晶体 百利通亚陶 -
台湾NSK晶体 NSK CRYSTAL -
玛居礼晶振 台湾玛居礼晶振 -
富士晶振 日本富士贴片晶振 -
SHINSUNG晶振 韩国进口SHINSUNG晶振 -
SMI晶振 日本SMI贴片晶振 -
Lihom晶振 韩国Lihom晶振 -
NAKA晶振 日本纳卡株式会社晶振 -
AKER晶振 台湾安碁贴片晶振 -
NKG晶振 NKG石英晶振 -
NJR晶振 日本NJR晶振 -
Sunny晶振 Sunny CRYSTAL -
Statek晶振 Statek贴片晶体 -
Pletronics晶振 Pletronics CRYSTAL -
Jauch晶振 Jauch Crystal -
日蚀晶振 Ecliptek Crystal -
IDT晶振 IDT进口晶振 -
格林雷晶振 Greenray恒温晶振 -
高利奇晶振 Golledge石英晶体振荡器 -
维管晶振 Vectron Crystal -
拉隆晶振 Raltron CRYSTAL -
瑞康晶振 Rakon石英晶体 -
康纳温菲尔德晶振 ConnorWinfield Crystal -
ECS晶振 ECS CRYSTAL -
Abracon晶振 Abracon 石英振荡器 -
CTS晶振 西迪斯晶振 -
SiTime晶振 SiTime可编码振荡器 -
微晶晶振 Microcrystal Crystal -
AEK晶振 AEK CRYSTAL -
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Cardinal晶振 Cardinal贴片晶体 -
Crystek晶振 Crystek石英晶振 -
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Frequency晶振 Frequency Crystal -
GEYER晶振 GEYER CRYSTAL -
KVG晶振 KVG石英晶体 -
ILSI晶振 ILSI CRYSTAL -
Euroquartz晶振 Euroquartz crystal -
MMDCOMP晶振 MMDCOMP贴片晶振 -
MtronPTI晶振 MtronPTI晶体谐振器 -
QANTEK晶振 QANTEK石英晶振 -
QuartzCom晶振 QuartzCom石英晶体 -
Quarztechnik晶振 Quarztechnik Crystal -
Suntsu晶振 Suntsu石英贴片晶振 -
Transko晶振 Transko crystal -
Wi2Wi晶振 Wi2Wi Crystal -
Rubyquartz晶振 进口Rubyquartz CRYSTAL -
ACT晶振 ACT石英晶振 -
Oscilent晶振 Oscilent CRYSTAL -
ITTI晶振 ITTI石英晶体谐振器 -
MTI-milliren晶振 MTI Crystal -
PDI晶振 PDI CRYSTAL -
IQD晶振 IQD CRYSTAL -
Microchip晶振 Microchip crystal -
Silicon晶振 Silicon Crystal -
安德森晶振 Anderson Crystal -
富通晶振 Fortiming Crystal -
CORE晶振 CORE CRYSTAL -
NIPPON晶振 NIPPON石英晶体振荡器 -
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Bomar晶振 Bomar Crystal -
Bliley晶振 Bliley Crystal -
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Wenzel晶振 Wenzel Crystal -
NEL晶振 美国NEL晶振 -
EM晶振 EM CRYSTAL -
PETERMANN晶振 PETERMANN CRYSTAL -
FCD-Tech晶振 荷兰晶振FCD-Tech -
HEC晶振 HEC CRYSTAL -
FMI晶振 FMI CRYSTAL -
麦克罗比特晶振 Macrobizes Crystal -
AXTAL晶振 AXTAL CRYSTAL -
ARGO晶振 ARGO晶振公司是专业提供和设计波段频率控制设备和微波无线通信零部件.我们还分销日本,欧洲和美国的一些知名品牌零部件.我们致力于发展与计算机,IT和无线通信公司无任何界限的信息时代.我们秉承经营者的踏实,诚恳的态度,互惠互利的精神,实现共赢的目标,以诚信为本,诚信为本,公平交易为宗旨,以诚信,勤勉,诚信,精神质量第一,客户满意的经营理念,将以优良的产品质量,优惠的价格,优质的服务与您建立长期稳定的合作关系,共创辉煌事业. -
SKYWORKS晶振 -
Renesas瑞萨晶振 -
贴片石英晶振 SMD CRYSTAL -
贴片陶瓷晶振 SMD 陶振 -
有源晶振 Oscillator -
石英晶体振荡器 OSC石英晶体振荡器 -
压控晶振 VCXO进口晶振 -
压控温补晶振 VC-TCXO CRYSTAL -
恒温晶振 OCXO有源晶振 -
差分晶振 差分石英晶体振荡器 -
数码产品 -
医疗产品 -
汽车产品 -
移动产品 -
智能家居 -
网络设备
- 规格型号:27943220
- 频率:12.000MHZ-62.500MHZ
- 尺寸:2.5*2.0*0.65mm 详细资料请查看PDF
- 产品描述:广泛应用于数码单反照相机,移动互联网终端,笔记本电脑,USB接口,电话机,对讲机,车载遥控器,MP5等数码产品.
鸿星晶振,HCX-2SB晶振,2520晶振,鸿星贴片晶振
鸿星晶振,HCX-2SB晶振,2520晶振,鸿星贴片晶振
参数:频率范围12.000MHZ-62.500MHZ
激励电平: 50μW (Max.100μW )
负载电容:12PF
工作温度: -30℃~+85℃
保存温度: -55℃~+125℃
精度 ±10ppm,±15ppm,±30ppm
捆包范围:3000pcs/reel
尺寸:超薄极轻型2.5*2.0*0.65mm
应用:无线通讯系统,无线局域网,多功能办公自动化,人工智能家电,Bluetooth,Wireless LAN等领域。
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公元1991年于台湾投入石英晶振之研发制造、1991年开始于中国大陆拓展生产基地,至今拥有四处生产基地、九处营销及FAE据点及十个营销代表处。鸿星电子已经成为全球从事石英频率控制组件的重要制造商之一,致力于插件式(DIP)与表面黏着式(SMD)石英晶体系列产品之研发、设计、生产与营销。
在以人为本,充分尊重人性的理念上,我们以沟通来达成共识,以相互尊重维系组织和谐气氛,创造适性的工作环境,让鸿星晶振成为一个高度凝聚力的大家庭。

鸿星晶振,HCX-2SB晶振,2520晶振,鸿星贴片晶振,作为一款2520mm小体积的石英晶体谐振器,从外观来讲正正方方的贴片型设计,符合时下流行的小型化概念,0.65mm的厚度可协助生产厂家节省产品内部结构的占位,大大的缩小了产品本身的空间,因此HCX-2SB晶振尤其适用于有小型化要求的电子产品。

| 鸿星晶振型号 | HCX-2SB晶振,台湾鸿星石英晶体谐振器 |
| 频率范围 | 12.000MHZ~62.500MHZ |
| 频率公差(25℃) | ±10ppm,±15ppm,±30ppm |
| 频率稳定度超过工作温度范围 | ±10ppm,±15ppm,±30ppm可指定 |
| 操作温度范围 | -30~+ 85℃,可指定 |
| 并联电容CO | 3pF Max. |
| 驱动电平 | 50μW(μW100典型) |
| 负载电容 | 12pF,可指定 |
| 老化(25℃) | ±3 ppm /年最大。 |
| 存储温度范围 | -55~+125℃ |



激励功率
在晶体单元上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率 (请参阅“激励功率”章节内容)。
负极电阻
除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则石英晶体谐振器振荡或振荡启动时间可能会增加(请参阅“关于振荡”章节内容)。
负载电容
振荡电路中负载电容的不同,可能导致贴片晶振振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡。在使用之前,请指明该振动电路的负载电容(请参阅“负载电容”章节内容)。
操作
请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹具直接接触SMD晶振的表面。
使用环境(温度和湿度)
请在规定的温度范围内使用产品。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。

1. 驱动能力
驱动能力说明石英水晶振子所需电功率,其计算公式如下:
驱动能力 (P) = i2.Re
其中i表示经过晶体单元的电流,
Re表示谐振器的有效电阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。
2.振荡补偿
除非在振荡电路中提供足够的负极电阻,否则会增加进口晶振振荡启动时间,或不发生振荡。为避免该情况发生,请在电路设计时提供足够的负极电阻。
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3.负载电容
如果振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差,如下图所示。电路中的负载电容的近似表达式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。

深 圳 市 金 洛 电 子 有 限 公 司代理:EPSON,KDS,SEIKO,CITIZEN
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