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石英晶振,温补晶振,EPSON晶振,TG-5035CE振荡器

规格型号：62691106
频率：10.000MHz ～ 40.000MHz
尺寸：3.2x2.5x0.9mm详情请参考PDF资料
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产品描述：TCXO晶振,TG-5035CE振荡器,爱普生晶体,温补晶振（TCXO）产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作温度范围: - 30度?85度,电源电压:1.8V?3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控.

石英晶振,温补晶振,EPSON晶振,TG-5035CE振荡器,产品本身具有温度补偿作用,高低温度稳定性:频率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作温度范围: - 30度?85度,电源电压:1.8V?3.3V之间可供选择,产品本身具有温度电压控制功能,世界上最薄的晶振封装,频率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因产品性能稳定,精度高等优势,被广泛应用到一些比较高端的数码通讯产品领域,GPS全球定位系统,智能手机,WiMAX和蜂窝和无线通信等产品,符合RoHS/无铅.

项目	符号	规格说明		条件
项目	符号	VC-TCXO	TCXO	条件
输出频率范围	f₀	10.000MHz ～ 40.000MHz
输出频率范围	f₀	16.369MHz,24.5535MHz,26MHz,27.456MHz		标准频率
电源电压	V_CC	1.8V ±0.1V		电源电压范围:1.7V to 3.3V
储存温度	T_stg	-40°C to +85°C		裸存
工作温度	T_use	-30°C to +85°C
频率初期公差	f_tol	±2.0 ×10^-6 Max.		在回流焊后, V_C=0.9V,+25°C
频率温度特征	f₀-T_C	±0.5 × 10^-6 Max.		-30°C to +85°C
频率负载变动特征	f₀-Load	±0.2 × 10^-6 Max.		10kΩ // 10pF ±10%
频率电源电压特征	f₀-V_CC	±0.2 × 10^-6 Max.		1.8V ± 0.1V
频率老化	f_age	±1.0 × 10^-6 Max.		+25°C,第一年
功耗	I_CC	2.0mA Max.		V_CC=1.8V,10kΩ// 10pF
输入电阻	Rin	500kΩ Min.	-	V_C- GND(DC)
频率控制范围	f_cont	±5.0 × 10^-6 to ±12.0 ×10^-6	-	V_C=0.9V ± 0.6V
频率变化极	-	正极	-
占空比	SYM	40% to 60%		GND极 (DC 切割)
输出电压	V_PP	0.8V Min.		峰-峰值
输出负载	Load_R	10kΩ		DC切割电容 = 0.01μF
输出负载	Load_C	10pF		DC切割电容 = 0.01μF

晶振是一种易碎元器件，1，对于晶振的保存方式，首先要考虑其周围的潮湿度，做好防挤压措施，放在干燥通风的地方，使其晶体避免受潮导致其他电气参数发生变化.2，其次对于易碎的晶振器件要做好防震措施，不宜放在较高的货架上，在使用的过程，也不宜使晶振跌落，一般来说，从高空跌落的晶振不应再次使用.3，在晶振焊锡过程中，其焊锡的温度不宜过高，焊锡时间也不宜过长，防止晶体因此发生内变，而产生不稳定.4，晶振外壳需要接地时，应该确保外壳和引脚不被意外连通而导致短路.从而导致晶体不起振，5，保证两条引脚的焊锡点不相连，否则也会导致晶体停振，6，对于需要剪脚的晶振，应该注意机械应力的影响。7，焊锡之后，要进行清洗，以免绝缘电阻不符合要求

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